FDW2520C

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A, 4.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms, 35 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

4.4 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

30 S, 17 S

Abfallzeit:

19 ns, 37 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns, 19 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns, 60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 12 ns

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

FDW2520, FDW252, FDW25, FDW2, FDW