CSD17307Q5A

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSONP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

73 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

900 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

CSD17307Q5A

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

66 S

Entwicklungs-Kit:

TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM

Abfallzeit:

2.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.7 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.6 ns

Gewichtseinheit:

0.003527 oz

Tags

CSD1730, CSD173, CSD17, CSD1, CSD