PBSS5240V,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SSmini-6

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.8 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 1 mA, 5 V

Höhe:

0.6 mm

Länge:

1.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.3 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500 mA, 5 V, 160 at 1 A, 5 V

Pd - Verlustleistung:

1200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBSS5240V T/R

Gewichtseinheit:

0.000102 oz

Tags

PBSS5240V, PBSS524, PBSS52, PBSS5, PBSS, PBS