SQJ968EP-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SO-8L-4

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

23.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

28 mOhms, 28 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

18.5 nC, 18.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

42 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16 S, 16 S

Abfallzeit:

6.5 ns, 6.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns, 9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19.5 ns, 19.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns, 8 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

SQJ968, SQJ96, SQJ9, SQJ