PMPB85ENEAX

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-2020MD-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

72 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11.5 S

Abfallzeit:

4.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns

Gewichtseinheit:

0.000254 oz

Tags

PMPB8, PMPB, PMP