STY80NM60N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

Max247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

74 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

447 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.3 mm

Länge:

15.9 mm

Serie:

STY80NM60N

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.3 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

200 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

65 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

440 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

50 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STY8, STY