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RN1111(TE85L,F)

RN1111(TE85L,F)
Mfr. #:
RN1111(TE85L,F)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1111(TE85L,F) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
10 kOhms
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SSM-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
120
Maximale Betriebsfrequenz:
250 MHz
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
100 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1111
Verpackung:
Spule
Kollektor- Basisspannung VCBO:
50 V
DC-Stromverstärkung hFE Max:
700
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Betriebstemperaturbereich:
- 55 C to + 150 C
Marke:
Toshiba
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1111, RN111, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RN1111(TE85L,F)
DISTI # 757-RN1111TE85LF		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.3000
  • 10:$0.1950
  • 100:$0.0820
  • 1000:$0.0560
  • 3000:$0.0420
  • 9000:$0.0360
  • 24000:$0.0340
  • 45000:$0.0320
  • 99000:$0.0280
Bild Teil # Beschreibung
RN1111(TE85L,F)

Mfr.#: RN1111(TE85L,F)

OMO.#: OMO-RN1111-TE85L-F-

 Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A
RN1111(TE85L,F)

Mfr.#: RN1111(TE85L,F)

OMO.#: OMO-RN1111-TE85L-F--123

 Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
3500
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0,30 $
10
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100
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8,20 $
1000
0,06 $
56,00 $
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