MRF13750HSR5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

NXP

Produktkategorie:

HF-MOSFET-Transistoren

RoHS:

Y

Polarität des Transistors:

Dualer N-Kanal

Technologie:

Si

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.8 A

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 500 mV, 105 V

Gewinnen:

20.5 dB

Ausgangsleistung:

750 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

NI-1230S-4S

Verpackung:

Spule

Arbeitsfrequenz:

700 MHz to 1300 MHz

Serie:

MRF13750H

Typ:

HF-Leistungs-MOSFET

Marke:

NXP Semiconductors

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Pd - Verlustleistung:

1.333 kW

Produktart:

HF-MOSFET-Transistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Teil # Aliase:

935360898178

Tags

MRF13750H, MRF1375, MRF137, MRF13, MRF1, MRF