NE5532DRE4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Versorgungsspannung - Max.:

30 V

Ausgangsstrom pro Kanal:

38 mA

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

GBP - Bandbreitengewinn Produkt:

10 MHz

SR - Anstiegsrate:

9 V/us

CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis:

70 dB to 100 dB

Ib - Eingangs-Bias-Strom:

800 nA

Vos - Eingangs-Offsetspannung:

4 mV

Versorgungsspannung - Min.:

10 V

Betriebsversorgungsstrom:

4 mA

Minimale Betriebstemperatur:

0 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 70 C

Stilllegen:

Keine Abschaltung

Serie:

NE5532

Verpackung:

Spule

Verstärkertyp:

Rauscharmer Verstärker

Höhe:

1.58 mm

Länge:

4.9 mm

Produkt:

Operationsverstärker

Versorgungstyp:

Single, Dual

Technologie:

Bipolar

Breite:

3.91 mm

Marke:

Texas Instruments

Doppelte Versorgungsspannung:

+/- 9 V, +/- 12 V

de - Rauschdichte der Eingangsspannung:

8 nV/sqrt Hz at +/- 15 V

In - Eingangsrauschstromdichte:

2.7 pA/sqrt Hz

Maximale doppelte Versorgungsspannung:

+/- 15 V

Minimale duale Versorgungsspannung:

+/- 5 V

Betriebsversorgungsspannung:

10 V to 30 V, +/- 5 V to +/- 15 V

Produktart:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Verstärker-ICs

Spannungsverstärkung dB:

100 dB

Gewichtseinheit:

0.002561 oz

Tags

NE5532DR, NE5532D, NE5532, NE553, NE55, NE5