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SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3
Mfr. #:
SI2314EDS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI2314EDS-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SI2314EDS-T1-GE3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI2314EDS-GE3
Gewichtseinheit
0.050717 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOT-23-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
750 mW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
4.9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
33 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SI2314E, SI2314, SI231, SI23, SI2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
***ark
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.77A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:950mV; Power Dissipation Pd:750mW ;RoHS Compliant: Yes
SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs
Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI2314EDS-T1-GE3
DISTI # SI2314EDS-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.3350
SI2314EDS-T1-GE3
DISTI # SI2314EDS-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2314EDS-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.3049
  • 6000:$0.2959
  • 12000:$0.2839
  • 18000:$0.2759
  • 30000:$0.2689
SI2314EDS-T1-GE3
DISTI # 781-SI2314EDS-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.3050
SI2314EDS-T1-GE3Vishay Intertechnologies 3000
    Bild Teil # Beschreibung
    SI2314EDS-T1-E3

    Mfr.#: SI2314EDS-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-T1-E3

    		 MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    SI2314EDS-T1-GE3

    Mfr.#: SI2314EDS-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-T1-GE3

    		 MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
    SI2314EDS

    Mfr.#: SI2314EDS

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-1190

    		 Neu und Original
    SI2314EDS-T1-E3

    Mfr.#: SI2314EDS-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-T1-E3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
    SI2314EDS-T1-GE3

    Mfr.#: SI2314EDS-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    4500
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    1
    0,40 $
    0,40 $
    10
    0,38 $
    3,83 $
    100
    0,36 $
    36,30 $
    500
    0,34 $
    171,40 $
    1000
    0,32 $
    322,70 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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