ZXTN19060CGTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

160 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

50 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

7 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

130 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTN19060

DC-Stromverstärkung hFE Max:

500 at 100 mA, 2 V

Höhe:

1.65 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

7 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

25 at 7 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

5300 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

ZXTN1906, ZXTN190, ZXTN19, ZXTN1, ZXTN, ZXT