ZXMD65P03N8TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

55 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

26.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.4 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

49.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.8 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMD65P03N, ZXMD65P03, ZXMD65P, ZXMD65, ZXMD6, ZXMD, ZXM