IXTL2x180N10T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

ISOPLUS-i4-PAK-3

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.4 mOhms

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.42 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXTL2x180

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

31 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

54 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

33 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTL2x, IXTL2, IXTL, IXT