IXTH02N450HV

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247HV-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

4.5 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

625 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

10.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

113 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

143 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

48 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Tags

IXTH0, IXTH, IXT