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IRL3302SPBF

IRL3302SPBF
Mfr. #:
IRL3302SPBF
Hersteller:
Infineon / IR
Beschreibung:
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 8.7nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRL3302SPBF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
39 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
23 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
10 V
Qg - Gate-Ladung:
20.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
57 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
2.3 mm
Länge:
6.5 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
Vorläufig
Breite:
6.22 mm
Marke:
Infineon / IR
Abfallzeit:
89 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
110 ns
Werkspackungsmenge:
3200
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
41 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
7.2 ns
Teil # Aliase:
SP001552554
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IRL3302S, IRL3302, IRL33, IRL3, IRL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
***ied Electronics & Automation
MOSFET, 20V, 39A, 23 MOHM, 20.7 NC QG, LOGIC LEVEL, D2-PAK
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:39A; On Resistance, Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:7V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, 20V, 39A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:39A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:7V; Voltage, Vgs th Typ:0.7V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:D2-PAK; Current, Idm Pulse:160A; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; Power Dissipation:57W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.7W; Power, Pd:57W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.2°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds:20V; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Max:2.5V; Width, External:10.54mm
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRL3302SPBF
DISTI # IRL3302SPBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3200
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IRL3302SPBF
    DISTI # 70018531    		Infineon Technologies AGMOSFET,20V,39A,23 MOHM,20.7 NC QG,LOGIC LEVEL,D2-PAK
    RoHS: Compliant    		0
    • 50:$0.7500
    IRL3302SPBFInternational Rectifier 200
      Bild Teil # Beschreibung
      IRL3303PBF

      Mfr.#: IRL3303PBF

      OMO.#: OMO-IRL3303PBF

      		 MOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB
      IRL3302STRL

      Mfr.#: IRL3302STRL

      OMO.#: OMO-IRL3302STRL-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
      IRL3303D1

      Mfr.#: IRL3303D1

      OMO.#: OMO-IRL3303D1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
      IRL3303D1S

      Mfr.#: IRL3303D1S

      OMO.#: OMO-IRL3303D1S-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
      IRL3303L

      Mfr.#: IRL3303L

      OMO.#: OMO-IRL3303L-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
      IRL3303PBF

      Mfr.#: IRL3303PBF

      OMO.#: OMO-IRL3303PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 IGBT Transistors MOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB
      IRL3302

      Mfr.#: IRL3302

      OMO.#: OMO-IRL3302-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
      IRL3303SPBF

      Mfr.#: IRL3303SPBF

      OMO.#: OMO-IRL3303SPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
      IRL3303STRRPBF

      Mfr.#: IRL3303STRRPBF

      OMO.#: OMO-IRL3303STRRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
      IRL3303TR

      Mfr.#: IRL3303TR

      OMO.#: OMO-IRL3303TR-1190

      		 Neu und Original
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      Available
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