NDT01N60T1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

400 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

7.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

NDT01N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

21.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.1 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.008818 oz

Tags

NDT01, NDT0, NDT