IRFS7730PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

195 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

271 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

375 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StarkIRFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

249 S

Abfallzeit:

115 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

120 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

180 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Teil # Aliase:

SP001571682

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRFS7730, IRFS773, IRFS77, IRFS7, IRFS, IRF