SH8M11TB1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V, 2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1.9 nC, 4.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

3 ns, 12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns, 18 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns, 35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns, 9 ns

Tags

SH8M11T, SH8M11, SH8M1, SH8M, SH8