CSD17311Q5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-Clip-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.2 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

CSD17311Q5

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

30V N-Channel NexFET Power MOSFET

Breite:

5 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

200 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.004078 oz

Tags

CSD17311, CSD1731, CSD173, CSD17, CSD1, CSD