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FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0
Mfr. #:
FCU360N65S3R0
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FCU360N65S3R0 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
FCU360N65S3R0 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
IPAK-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
360 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
18 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
83 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Serie:
SuperFET3
Marke:
ON Semiconductor
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
6 S
Abfallzeit:
10 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
11 ns
Werkspackungsmenge:
1800
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
12 ns
Tags
FCU3, FCU
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
SuperFET® III MOSFETs
ON Semiconductor SuperFET® III MOSFETs are high voltage (700V at TJ = 150ºC) super-junction (SJ) MOSFETs with charge balance technology. This technology provides outstanding low on-resistance (59mΩ or 62mΩ RDS(on) typical) and lower gate charge performance (78nC Qg typical). SuperFET III MOSFETs are designed to minimize conduction loss, offer superior switching performance, and withstand extreme rise rate of the drain-source voltage (dv/dt). Fairchild SuperFET III is ideal for various power systems for miniaturization and higher efficiency.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FCU360N65S3R0
DISTI # V99:2348_21690177		ON SemiconductorN-Channel MOSFET1800
  • 2500:$0.5800
  • 1000:$0.6300
  • 500:$0.7973
  • 100:$0.9009
  • 10:$1.1503
  • 1:$1.5037
FCU360N65S3R0
DISTI # V36:1790_21690177		ON SemiconductorN-Channel MOSFET0
  • 1800000:$0.4907
  • 900000:$0.4933
  • 180000:$0.7162
  • 18000:$1.1050
  • 1800:$1.1700
FCU360N65S3R0
DISTI # FCU360N65S3R0OS-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		1800In Stock
  • 5400:$0.5882
  • 3600:$0.6192
  • 1800:$0.6634
  • 100:$1.0172
  • 25:$1.2384
  • 10:$1.3050
  • 1:$1.4600
FCU360N65S3R0
DISTI # 30724591		ON SemiconductorN-Channel MOSFET1800
  • 2500:$0.5800
  • 1000:$0.6300
  • 500:$0.7973
  • 100:$0.9009
  • 11:$1.1503
FCU360N65S3R0
DISTI # 31265577		ON SemiconductorN-Channel MOSFET1800
  • 10000:$0.5345
  • 2500:$0.5544
  • 1800:$0.6247
FCU360N65S3R0
DISTI # FCU360N65S3R0		ON SemiconductorSuperFET III MOSFET Single N‐Channel 650V 10A 360m Ohm 3-Pin IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: FCU360N65S3R0)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1800
Container: Tube		Americas - 0
  • 18000:$0.5199
  • 10800:$0.5329
  • 7200:$0.5399
  • 3600:$0.5469
  • 1800:$0.5499
FCU360N65S3R0
DISTI # 62AC6866		ON SemiconductorMOSFET, N-CH, 650V, 10A, TO-251,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:10A,Drain Source Voltage Vds:650V,On Resistance Rds(on):0.31ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4.5V,Power RoHS Compliant: Yes1800
  • 10000:$0.4880
  • 2500:$0.4970
  • 1000:$0.5260
  • 500:$0.6580
  • 100:$0.7440
  • 10:$0.9700
  • 1:$1.1300
FCU360N65S3R0
DISTI # 863-FCU360N65S3R0		ON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
RoHS: Compliant		1714
  • 1:$1.3800
  • 10:$1.1700
  • 100:$0.9050
  • 500:$0.8000
  • 1000:$0.6310
  • 2500:$0.5600
  • 10000:$0.5390
FCU360N65S3R0
DISTI # 1784246		ON SemiconductorSUPERFET3 650V IPAK PKG, TU1800
  • 750:£0.5560
  • 375:£0.6580
  • 75:£0.7230
FCU360N65S3R0
DISTI # 2895705		ON SemiconductorMOSFET, N-CH, 650V, 10A, TO-251
RoHS: Compliant		1795
  • 5400:$0.8890
  • 3600:$0.9340
  • 1800:$1.0000
  • 100:$1.5400
  • 25:$1.8700
  • 5:$1.9700
FCU360N65S3R0
DISTI # 2895705		ON SemiconductorMOSFET, N-CH, 650V, 10A, TO-2511795
  • 500:£0.4720
  • 250:£0.5040
  • 100:£0.5350
  • 10:£0.7490
  • 1:£0.9250
Bild Teil # Beschreibung
SMF6V0A-M3-08

Mfr.#: SMF6V0A-M3-08

OMO.#: OMO-SMF6V0A-M3-08

 TVS Diodes / ESD Suppressors ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-M3
IPU95R1K2P7AKMA1

Mfr.#: IPU95R1K2P7AKMA1

OMO.#: OMO-IPU95R1K2P7AKMA1

 MOSFET 950 V CoolMOS P7
IPU95R450P7AKMA1

Mfr.#: IPU95R450P7AKMA1

OMO.#: OMO-IPU95R450P7AKMA1

 MOSFET 950 V CoolMOS P7
NUCLEO-L432KC

Mfr.#: NUCLEO-L432KC

OMO.#: OMO-NUCLEO-L432KC

 Development Boards & Kits - ARM STM32 Nucleo-32 development board with STM32L432KC MCU, supports Arduino connectivity
VEMD5510C

Mfr.#: VEMD5510C

OMO.#: OMO-VEMD5510C

 Photodiodes 550nm 0.6uA 440-700nm 80pF
SMF6V0A-M3-08

Mfr.#: SMF6V0A-M3-08

OMO.#: OMO-SMF6V0A-M3-08-VISHAY

 TVS DIODE 6V 10.3V DO219AB
IPU95R450P7AKMA1

Mfr.#: IPU95R450P7AKMA1

OMO.#: OMO-IPU95R450P7AKMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 950V 14A TO251
NUCLEO-L432KC

Mfr.#: NUCLEO-L432KC

OMO.#: OMO-NUCLEO-L432KC-STMICROELECTRONICS

 STM32 NUCLEO-32 BOARD
CRCW0603866RFKEAC

Mfr.#: CRCW0603866RFKEAC

OMO.#: OMO-CRCW0603866RFKEAC-VISHAY-DALE

 D11/CRCW0603-C 100 866R 1% ET1
B32928C3206M000

Mfr.#: B32928C3206M000

OMO.#: OMO-B32928C3206M000-EPCOS

 CAP, 20F, 20%, PP
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1984
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
1,38 $
1,38 $
10
1,17 $
11,70 $
100
0,90 $
90,50 $
500
0,80 $
400,00 $
1000
0,63 $
631,00 $
2500
0,56 $
1 400,00 $
10000
0,54 $
5 390,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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