DMN2004DWKQ-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

540 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

400 mOhms, 400 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

950 pC, 950 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN2004D

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

200 mS, 200 mS

Abfallzeit:

10.5 ns, 10.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.3 ns, 7.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.8 ns, 13.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.1 ns, 4.1 ns

Tags

DMN2004DW, DMN2004D, DMN2004, DMN200, DMN20, DMN2, DMN