2N3739 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-66-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

325 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2.5 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

10 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

2N37

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 100 mA, 10 V

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40 at 100 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

20 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N373, 2N37, 2N3