DMN4031SSD-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

31 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

18.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.42 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN40

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11 S

Abfallzeit:

3.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.7 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.4 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMN4031, DMN403, DMN40, DMN4, DMN