FDMC8884

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-33-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

5 nC, 10 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

FDMC8884

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.007055 oz

Tags

FDMC8884, FDMC888, FDMC88, FDMC8, FDMC, FDM