FDMS3616S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-56-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A, 18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.6 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC, 31 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.3 W, 1 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

63 S, 84 S

Abfallzeit:

1.4 ns, 2.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.7 nS, 3 nS

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 nS, 24 nS

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.7 nS, 9.5 nS

Gewichtseinheit:

0.003175 oz

Tags

FDMS361, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM