FQD9N08TM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

210 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.8 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

FQD9N0, FQD9N, FQD9, FQD