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SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4638DY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4638DY-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SI4638DY-T1-E3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI4638DY-E3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOIC-Narrow-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single mit Schottky-Diode
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
18 ns
Anstiegszeit
19 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
16 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
6.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
44 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
37 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI463, SI46, SI4
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Packaging Boxes
***roFlash
Mosfet N-ch 30V 22.4A 8SOIC
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4638DY-T1-E3
DISTI # SI4638DY-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.5852
SI4638DY-T1-E3
DISTI # 781-SI4638DY-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 2500:$0.5320
  • 5000:$0.5060
  • 10000:$0.4870
Bild Teil # Beschreibung
SI4638DY-T1-E3

Mfr.#: SI4638DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4638DY-T1-E3

 MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V
SI4638DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4638DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4638DY-T1-GE3

 MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V
SI4638DY-T1-E3

Mfr.#: SI4638DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4638DY-T1-E3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V
SI4638DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4638DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4638DY-T1-GE3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V
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Available
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10
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100
0,66 $
65,75 $
500
0,62 $
310,45 $
1000
0,58 $
584,40 $
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