IXFA10N60P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

740 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

200 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.5 mm

Länge:

9.9 mm

Serie:

IXFA10N60P

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.2 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11 S

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

23 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXFA10N, IXFA10, IXFA1, IXFA, IXF