NVMFS5C430NWFAFT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-FL-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

185 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

47 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

106 W, 3.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

130 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

48 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

29 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Tags

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