DMHC3025LSDQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

4 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A, 4.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

25 mOhms, 50 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

11.7 nC, 11.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Quad

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

DMHC3025

Transistortyp:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

8.7 ns, 13.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 4.9 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17.5 ns, 28.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.2 ns, 7.5 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMHC3, DMHC, DMH