SIS782DN-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-1212-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

30.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 50 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

41 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET, PowerPAK

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.04 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

SIS

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

43 S

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

SIS782DN-GE3

Tags

SIS782, SIS78, SIS7, SIS