IXDN75N120

IXDN75N120
Mfr. #:
IXDN75N120
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors 75 Amps 1200V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXDN75N120 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
IGBTs - Module
Serie
IXDN75N120
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Befestigungsart
Chassishalterung
Lieferanten-Geräte-Paket
SOT-227B
Eingang
Standard
Aufbau
Single
Leistung max
660W
Strom-Kollektor-Ic-Max
150A
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
1200V
Strom-Kollektor-Abschalt-Max
4mA
IGBT-Typ
NPT
Vce-on-Max-Vge-Ic
2.7V @ 15V, 75A
Eingangskapazität-Cies-Vce
5.5nF @ 25V
NTC-Thermistor
Nein
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 40 C
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-Max
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.2 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung
+/- 20 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom-Ic-Max
150 A
Tags
IXDN7, IXDN, IXD
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
IXDN75N120 Series 1200 V 150 A Chassis Mount High Voltage IGBT - SOT-227B
***p One Stop Global
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660000mW 4-Pin SOT-227B
***p One Stop Japan
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B
***i-Key
IGBT 1200V 150A SOT-227B
***trelec
IGBT Housing type: SOT-227B Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 3.5 V Current release time: 70 ns Power dissipation: 630 W
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXDN75N120
DISTI # V99:2348_15876752
IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant
7
  • 25:$29.6000
  • 10:$32.5100
  • 5:$34.0600
  • 1:$35.8400
IXDN75N120
DISTI # V36:1790_15876752
IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant
0
    IXDN75N120
    DISTI # IXDN75N120-ND
    IXYS CorporationIGBT 1200V 150A SOT-227B
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tube
    66In Stock
    • 100:$28.4242
    • 30:$30.5830
    • 10:$33.2820
    • 1:$35.9800
    IXDN75N120
    DISTI # 31237461
    IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B
    RoHS: Compliant
    20
    • 25:$30.2841
    • 10:$32.9472
    IXDN75N120
    DISTI # 31329799
    IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B
    RoHS: Compliant
    7
    • 25:$29.6000
    • 10:$32.5100
    • 5:$34.0600
    • 1:$35.8400
    IXDN75N120
    DISTI # 747-IXDN75N120
    IXYS CorporationIGBT Transistors 75 Amps 1200V
    RoHS: Compliant
    90
    • 1:$35.9800
    • 5:$34.1800
    • 10:$33.2800
    • 25:$30.5800
    • 50:$29.8500
    • 100:$28.4200
    • 200:$26.0800
    IXDN75N120IXYS Corporation 3
      IXDN75N120Ixys Corporation*** FREE SHIPPING ORDERS OVER $100 *** IGBT Power Module Transistor, Independent2
      • 1:$32.0000
      IXDN75N120
      DISTI # IXDN75N120
      IXYS CorporationIc:150A,SOT227B,screw,screw,660W,NPT16
      • 1:$29.8900
      • 3:$26.3900
      • 10:$23.6900
      Bild Teil # Beschreibung
      IXDN75N120

      Mfr.#: IXDN75N120

      OMO.#: OMO-IXDN75N120

      IGBT Transistors 75 Amps 1200V
      IXDN75N120A

      Mfr.#: IXDN75N120A

      OMO.#: OMO-IXDN75N120A-1190

      Neu und Original
      IXDN75N120AU1

      Mfr.#: IXDN75N120AU1

      OMO.#: OMO-IXDN75N120AU1-1190

      Neu und Original
      IXDN75N120

      Mfr.#: IXDN75N120

      OMO.#: OMO-IXDN75N120-IXYS-CORPORATION

      IGBT Transistors 75 Amps 1200V
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      Available
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      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      35,54 $
      35,54 $
      10
      33,76 $
      337,58 $
      100
      31,98 $
      3 198,15 $
      500
      30,20 $
      15 102,40 $
      1000
      28,43 $
      28 428,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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