ZTX757STZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

30 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZTX757

DC-Stromverstärkung hFE Max:

50 at 100 mA, 5 V

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50 at 100 mA, 5 V, 40 at 10 mA, 5 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

ZTX757ST, ZTX757S, ZTX757, ZTX75, ZTX7, ZTX