RQ5A040ZPTL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-346T-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

30 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

210 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

70 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

380 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

RQ5A040ZP

Tags

RQ5A04, RQ5A, RQ5