FDD8N50NZTM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

850 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

90 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

FDD8N50NZ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

34 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

43 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

FDD8N, FDD8, FDD