SI7444DP-T1-E3

SI7444DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7444DP-T1-E3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 23.6A 1.9W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7444DP-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
IC-Chips
Serie
SI74xxDx
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7444DP-E3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
1.9 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
30 ns
Anstiegszeit
30 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
6.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
90 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
45 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7444, SI744, SI74, SI7
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7444DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7444DP-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 40V 23.6A 1.9W
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.5200
Bild Teil # Beschreibung
SI7444DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7444DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7444DP-T1-GE3

MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V
SI7444DP-T1-E3

Mfr.#: SI7444DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7444DP-T1-E3

MOSFET 40V 23.6A 1.9W
SI7444DP-T1-E3

Mfr.#: SI7444DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7444DP-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 23.6A 1.9W
SI7444DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7444DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7444DP-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V
SI7444DP

Mfr.#: SI7444DP

OMO.#: OMO-SI7444DP-1190

Neu und Original
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