SCT20N120H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

SiC

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

HiP247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

239 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 10 V, 25 V

Qg - Gate-Ladung:

45 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Pd - Verlustleistung:

175 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Tags

SCT20N, SCT20, SCT2, SCT