SI3435DV-T1-E3

SI3435DV-T1-E3
Mfr. #:
SI3435DV-T1-E3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 4.8A 2W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI3435DV-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
IC-Chips
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI3435DV-T1
Gewichtseinheit
0.000705 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
TrenchFET
Paket-Koffer
TSOP-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
1.1 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
45 ns
Anstiegszeit
45 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
4.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
73 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
90 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
18 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI3435, SI343, SI34, SI3
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***ser
P-Channel MOSFETs 12V 4.8A 2W
Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI3435DV-T1-E3
DISTI # 781-SI3435DV-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 4.8A 2W
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.3410
  • 6000:$0.3180
  • 9000:$0.3060
  • 24000:$0.2940
Bild Teil # Beschreibung
SI3435DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3435DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-GE3

MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
SI3435DV-T1-E3

Mfr.#: SI3435DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-E3

MOSFET 12V 4.8A 2W
SI3435DV-T1

Mfr.#: SI3435DV-T1

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-1190

4800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
SI3435DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3435DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
SI3435DV-T1-E3

Mfr.#: SI3435DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 4.8A 2W
Verfügbarkeit
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Available
Auf Bestellung:
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100
0,40 $
39,69 $
500
0,37 $
187,45 $
1000
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