QS8K21TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSMT-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

45 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

53 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

120 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

QS8K21

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

QS8K21

Tags

QS8K2, QS8K, QS8