SQD50N03-06P-GE3

SQD50N03-06P-GE3
Mfr. #:
SQD50N03-06P-GE3
Hersteller:
VIS
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V
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Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SQD50N03-06P-GE3 Datenblatt
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Hersteller
VIS
Produktkategorie
IC-Chips
Tags
SQD50N03-0, SQD50N03, SQD50N0, SQD50N, SQD50, SQD5, SQD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 50A TO252
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,W DIODE,30V,50A,TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Voltage Vgs Max:20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SQD50N03-06P-GE3
DISTI # 781-SQD50N03-06P-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
    SQD50N03-06P-GE3
    DISTI # 1869914
    Vishay IntertechnologiesMOSFET,N CH,W DIODE,30V,50A,TO-252
    RoHS: Compliant
    0
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    Bild Teil # Beschreibung
    SQD50N03-06P-GE3

    Mfr.#: SQD50N03-06P-GE3

    OMO.#: OMO-SQD50N03-06P-GE3-126

    IGBT Transistors MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V
    SQD50N03-06P

    Mfr.#: SQD50N03-06P

    OMO.#: OMO-SQD50N03-06P-1190

    Neu und Original
    SQD50N03-09-GE3

    Mfr.#: SQD50N03-09-GE3

    OMO.#: OMO-SQD50N03-09-GE3-1190

    MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V
    SQD50N03-3M1L

    Mfr.#: SQD50N03-3M1L

    OMO.#: OMO-SQD50N03-3M1L-1190

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