SSM3K106TU(T5L,T)

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UFM-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

310 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

2 mm

Serie:

SSM3K106

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.7 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Gewichtseinheit:

0.000233 oz

Tags

SSM3K10, SSM3K1, SSM3K, SSM3, SSM