STF12N50DM2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

299 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

120 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

MDmesh

Serie:

STF12N50DM2

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

9.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.5 ns

Tags

STF12N5, STF12N, STF12, STF1, STF