STFW12N120K5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3PF-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

620 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

44.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

63 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

MDmesh

Serie:

STFW12N120K5

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

18.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

300

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

68.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

23 ns

Tags

STFW, STF