SSM3H137TU,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UFM-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

34 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

240 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

SSM3H137TU

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.2 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

800 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

320 ns

Gewichtseinheit:

0.000233 oz

Tags

SSM3H, SSM3, SSM