2N7002AQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

180 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

540 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

2N7002AQ

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mS

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Tags

2N7002A, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7