TK17E65W,S1X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

17.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

170 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

45 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

165 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

DTMOSIV

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.1 mm

Länge:

10.16 mm

Serie:

TK17E65W

Breite:

4.45 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

50 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

TK17E6, TK17E, TK17, TK1