IXFZ140N25T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DE-475-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

255 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

445 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

3.18 mm

Länge:

23.11 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

18.8 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 S

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

29 ns

Werkspackungsmenge:

20

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

92 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

33 ns

Gewichtseinheit:

0.105822 oz

Tags

IXFZ, IXF