FQD18N20V2TM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

140 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

FQD18N20V2

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11 S

Abfallzeit:

62 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

133 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

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