2N6316

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-66-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

15 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

4 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

2N6316

DC-Stromverstärkung hFE Max:

100 at 2.5 A, 4 V

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20 at 500 mA, 4 V

Pd - Verlustleistung:

90 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2N6316 PBFREE

Gewichtseinheit:

0.206000 oz

Tags

2N631, 2N63, 2N6