DMP2066LSN-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-59-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMP2066

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9 S

Abfallzeit:

23.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

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